論文［ＬＳＩ製造］〜露光のボトルネック解消へ　次世代の光とＥＵＶに対応
日経マイクロデバイス　第214号　2003.4.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第214号（2003.4.1）
ページ数	8ページ　（全9918字）
形式	PDFファイル形式　（398kb）
雑誌掲載位置	103〜110ページ目

今後の露光技術にとってボトルネックになる危険性を持っているマスク欠陥検査技術の革新に，半導体ＭＩＲＡＩプロジェクトが取り組んでいる。４５ｎｍのプロセス技術ノードに対応させるため，検査装置のレーザーを短波長化し，このレーザーに合わせたセンサーを開発する。すでに中間段階の成果として波長２００ｎｍのレーザーやセンサーを開発済みであり，これらはそのまま６５ｎｍ対応の要素技術として実用化していく。さらに，４…