論文［ＬＳＩ製造］〜９０ｎｍ量産を可能にする　欠陥検査技術が登場
日経マイクロデバイス　第214号　2003.4.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第214号（2003.4.1）
ページ数	7ページ　（全7676字）
形式	PDFファイル形式　（285kb）
雑誌掲載位置	95〜101ページ目

検査・分析ＬＳＩプロセスＳＥＭ「１００ｎｍ以降のプロセス技術ノードでは，パターン欠陥検査が困難になる」。ＬＳＩプロセス技術者が抱える，このような危機感を解消する技術が登場した。プロセス技術者がこのような危機感を抱えているのは，既存のパターン欠陥検査技術に検出感度やスループットの面で限界があるからである。これに対し，東芝，荏原製作所，東京大学が共同開発したパターン欠陥検査技術は今後数世代に渡って限界…