ＬＳＩ特集（後半）〜ビジネスとの一体化で大きく５グループに分化：各社分析
日経マイクロデバイス　第213号　2003.3.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第213号（2003.3.1）
ページ数	11ページ　（全12267字）
形式	PDFファイル形式　（300kb）
雑誌掲載位置	60〜70ページ目

●米Ｉｎｔｅｌ　Ｃｏｒｐ．９０ｎｍから歪みＳｉを導入６５ｎｍでは完全空乏型ＳＯＩやｈｉｇｈ−ｋを検討　米Ｉｎｔｅｌ　Ｃｏｒｐ．は，２年ごとにプロセス技術を進化させる。具体的にはトランジスタ性能を３０％ずつ向上させ，これに合わせて配線遅延を削減する。これによってマイクロプロセサの性能向上を進めてきた。この方針は９０ｎｍや６５ｎｍのプロセス世代でも堅持していく（図１２）。　９０ｎｍ技術は２００３年後半…