論文［ＬＳＩ製造］〜競合より１年以上先行 ＤＲＡＭ混載６５ｎｍが早くも登場
日経マイクロデバイス 第211号 2003.1.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第211号（2003.1.1） |
|---|---|
| ページ数 | 9ページ （全7862字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （370kb） |
| 雑誌掲載位置 | 137〜145ページ目 |
ＭＯＳ ＦＥＴ微細化ＤＲＡＭ混載６５ｎｍＣＭＯＳ技術「ＣＭＯＳ５」を東芝とソニーが共同開発，競合他社より１年以上先行できるメドを立てた。両社は微細化の加速が一層進むと見ており，今後のプロセス開発は１．５年／世代で開発していこうとしている。さらに，今後のロジックＬＳＩで最大の問題の一つに挙がっている消費電力を削減するためにＤＲＡＭ混載が必須と見て，ＤＲＡＭ混載を実現している。このような要求に応える技…
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