特別企画Ｐａｒｔ２〜単体ではフラッシュ強し 新星「ＲＲＡＭ」に期待
日経マイクロデバイス 第211号 2003.1.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第211号（2003.1.1） |
|---|---|
| ページ数 | 12ページ （全14063字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （360kb） |
| 雑誌掲載位置 | 72〜83ページ目 |
不揮発性メモリー，フラッシュ，ＭＲＡＭ 背景フラッシュの対抗馬となる新型が相次ぎ登場した 論点極めて安価なフラッシュに新型がコストで競争できるか 結論当面はフラッシュ優位，新星「ＲＲＡＭ」に勝機ありカメラ付き携帯電話機やディジタル・カメラに搭載されビット需要が急増している不揮発性メモリー。そのほとんどをフラッシュ・メモリーが独占している。２００３年以降は新型不揮発性メモリーが続々と登場，フラ…
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