μレポート［ＬＳＩ設計］　囲み〜非プレーナ型のＦＥＴ研究を　本格化した米Ｉｎｔｅｌの狙い
日経マイクロデバイス　第209号　2002.11.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第209号（2002.11.1）
ページ数	1ページ　（全1146字）
形式	PDFファイル形式　（166kb）
雑誌掲載位置	45ページ目

　既存のプレーナ型ＦＥＴにこだわり続けていた米Ｉｎｔｅｌ　Ｃｏｒｐ．が一転して，非プレーナ型のＦＥＴ「トライ・ゲート・トランジスタ」の研究を本格化させている。狙いは，「完全空乏型のＦＥＴを製造しやすくすること」（同社Ｄｉｒｅｃｔｏｒ，　Ｃｏｍｐｏｎｅｎｔｓ　Ｒｅｓｅａｒｃｈ，　Ｌｏｇｉｃ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ　ＤｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔのＧｅｒａｌｄ　Ｔ．　Ｍａｒｃｙｋ氏）である。９月に名古屋で開かれ…