産業ウオッチャ［Ｐｏｗｅｒｅｄ ｂｙ ＮＥＡ］〜韓国Ｓａｍｓｕｎｇが次世代の 携帯電話向けシステムＬＳＩ用 ９０ｎｍＣＭＯＳプロセスを確立
日経マイクロデバイス 第206号 2002.8.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第206号（2002.8.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全375字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （65kb） |
| 雑誌掲載位置 | 27ページ目 |
韓国システムＬＳＩプロセス 韓国Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．， Ｌｔｄ．は，システムＬＳＩ向けに９０ｎｍのプロセス技術を発表した。システムＬＳＩの狙いは，次世代ＩＴ機器向けの低消費電力・高速の素子の実現である。ゲート絶縁膜の厚さは１．６ｎｍ，実効ゲート長は７０ｎｍ。Ｃｕのダマシン配線プロセス，低誘電率層間絶縁膜プロセスを使う。現在の１３０ｎｍプロセスと比べ速度は３０％向上し，チッ…
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