ブレークスルー〜ＬＳＩ生産革命の突破口へ
日経マイクロデバイス　第187号　2001.1.1

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掲載誌	日経マイクロデバイス　第187号（2001.1.1）
ページ数	1ページ　（全1423字）
形式	PDFファイル形式　（32kb）
雑誌掲載位置	3ページ目

真空を使わないプラズマＣＶＤ技術が次世代のＬＳＩ製造技術として急浮上した。従来に比べて数倍のスループットと２０〜３０％低いコストを実現できるという。開発者は３８歳。この技術がＬＳＩ生産革命の突破口になると語る。湯浅　基和　氏積水化学工業高機能プラスチックス事業本部　Ｐ２プロジェクト　半導体・実装ユニット　真空を使わずに大気圧のままで動作するプラズマＣＶＤ技術が登場した。開発者の積水化学工業の湯浅基…