ＮｅｗｓＬｅｔｔｅｒ ＬＳＩ（ロジック）〜比誘電率２．６４の 層間絶縁膜を採用した Ｃｕプロセスを米ＩＢＭが開発
日経マイクロデバイス 第179号 2000.5.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第179号（2000.5.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全289字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （47kb） |
| 雑誌掲載位置 | 168ページ目 |
多層配線Ｃｕ配線層間絶縁膜 比誘電率２．６４の低誘電率層間絶縁膜を採用した０．１３μｍ向けのＣｕ配線プロセスを米ＩＢＭ Ｃｏｒｐ．が開発した。チップの演算速度と処理能力をそれぞれ最大３０％向上できるという。低誘電率膜にはスピン塗布で形成する米Ｔｈｅ Ｄｏｗ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏ．の有機系材料「ＳｉＬＫ」を採用した。既存装置や一般に販売されている材料を使うことによって高い信頼性と低コスト化を実現し…
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