ＮｅｗｓＬｅｔｔｅｒ ＬＳＩ（ロジック）〜「２０００ ＩＩＴＣ」プレビュー ０．１３μｍ向けの 低誘電率膜技術が進展
日経マイクロデバイス 第179号 2000.5.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第179号（2000.5.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全574字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （47kb） |
| 雑誌掲載位置 | 168ページ目 |
多層配線低誘電率膜ＣＭＰ 低誘電率膜，配線を利用したキャパシタ，新型ＣＭＰ（化学的機械研磨）。これらが，２０００年６月に米国で開かれる「２０００ ＩＥＥＥ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ（２０００ ＩＩＴＣ）」の注目株になる。 低誘電率膜では，０．１３μｍ向けに比誘電率が３以下の材料をＣｕ配線プロセスと組み合わせた事例を，米ＩＢＭ …
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