ＤｅｖｉｃｅＴｒｅｎｄ〜Ｆ２露光が最有力候補に急浮上
日経マイクロデバイス 第176号 2000.2.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第176号（2000.2.1） |
|---|---|
| ページ数 | 2ページ （全2122字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （47kb） |
| 雑誌掲載位置 | 14〜15ページ目 |
ポストＡｒＦエキシマ・レーザー 露光技術として，Ｆ２エキシマ・レーザー露光技術が最有力候補に急浮上してきた（図１）。これまでＡｒＦ露光技術の次の候補として，Ｆ２露光のほかに電子ビーム（ＥＢ）露光，縮小Ｘ線露光が挙がっていた。この中で，Ｆ２露光の技術開発が１９９９年半ばから活発化し，１９９９年末時点では他の候補より１〜２年先行した。今後の開発の進ちょくによっては別の技術と入れ替わる可能性は残ってい…
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