ＮｅｗｓＬｅｔｔｅｒ ＬＳＩ（ロジック）〜低誘電率層間絶縁膜と Ｃｕ配線の組み合わせに 注目集まる「ＩＩＴＣ」
日経マイクロデバイス 第167号 1999.5.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第167号（1999.5.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全448字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （46kb） |
| 雑誌掲載位置 | 171ページ目 |
低誘電率層間絶縁膜とＣｕ配線に関する発表が５月２４日〜２６日に開かれる「１９９９ ＩＥＥＥ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ（ＩＩＴＣ）」に相次ぐ。比誘電率が２．５〜３．５の層間絶縁膜とＣｕ配線を組み合わせることを目指している。ＣＭＰ（化学的機械研磨）に関する発表でも，この二つの組み合わせに関連した発表が大半である。低誘電率膜向けＣ…
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