ＮｅｗｓＬｅｔｔｅｒ ＬＳＩ（メモリー）〜東芝が 低誘電率膜を使って Ａｌ配線の信頼性を向上
日経マイクロデバイス 第167号 1999.5.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第167号（1999.5.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全346字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （38kb） |
| 雑誌掲載位置 | 169ページ目 |
低誘電率膜と組み合わせると，Ａｌ配線のエレクトロマイグレーション耐性が向上することを東芝が示した。３月２２日〜２５日に米国サンディエゴで開かれた「１９９９ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｒｅｌｉａｂｉｌｉｔｙ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ（ＩＲＰＳ）」で発表した。配線遅延の削減と信頼性の向上を両立できる。信頼性向上のメカニズムを次のモデルで説明した。低誘電率膜の弾性変形によって配線内に発生す…
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