専門特集　第２部〜先行して０．１８μｍの　ＤＲＡＭ混載プロセスを確立
日経マイクロデバイス　第167号　1999.5.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第167号（1999.5.1）
ページ数	6ページ　（全6021字）
形式	PDFファイル形式　（91kb）
雑誌掲載位置	104〜109ページ目

ＬＳＩプロセス微細化露光技術工場特集［ＬＳＩプロセス］●次世代「プレステ」ソニーが競合他社に先駆けて０．１８μｍのＤＲＡＭ混載ロジックＬＳＩを量産し始める。次世代「プレイステーション」向けのグラフィックス・チップを２０００年春から量産するからだ。このチップには，先行して確立した０．１８μｍのＤＲＡＭ混載プロセスを使う。ソニーと富士通が共同開発したものであり，競合他社より半年から１年早く立ち上げた。…