ＮｅｗｓＬｅｔｔｅｒ ＬＳＩ（ロジック）〜Ｃｕ配線使った ＤＲＡＭ混載ロジックＬＳＩを 米ＩＢＭが受注開始
日経マイクロデバイス 第166号 1999.4.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第166号（1999.4.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全467字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （45kb） |
| 雑誌掲載位置 | 147ページ目 |
米ＩＢＭ Ｃｏｒｐ．は，Ｃｕ配線を使ったＤＲＡＭ混載ロジックＬＳＩの受注を１９９９年４月に開始，２０００年初めに量産する。最大２４００万ゲート，電源電圧は１．８Ｖ，２入力ＮＡＮＤゲートの遅延時間は３３ｐｓ，ゲーム機や情報家電に最適とする。プロセスは新たに開発した「ＳＡ−２７Ｅ」を採用，ゲート長が０．１５μｍ，実効チャネル長が０．１１μｍ，配線層数が６層である。ＤＲＡＭコアは主記憶用途を狙い，最大…
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