おぴにおん〜既存の考え方に警鐘
日経マイクロデバイス 第164号 1999.2.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第164号（1999.2.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全2059字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （25kb） |
| 雑誌掲載位置 | 15ページ目 |
高木 信一氏東芝研究開発センター先端半導体デバイス研究所研究第二担当主任研究員 ＬＳＩの低電圧化は今後，従来のようには進まなくなる。ＭＯＳ ＦＥＴの低電圧化，高速化，高密度化を進めていく上でのガイドラインだった「スケーリング則」が，微細化とともに守れなくなっているためである。米国を中心に，ＬＳＩ各社はＬＳＩのロードマップを作成しているが，前提としているスケーリング則を守れなければ無意味になってしま…
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