トピックス・テクノロジ 〜サムスン，ＧａＮ系青紫色半導体レーザの開発にＴＲＩＺ
日経ものづくり 第564号 2001.9.1
| 掲載誌 | 日経ものづくり 第564号（2001.9.1） |
|---|---|
| ページ数 | 2ページ （全1932字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （292kb） |
| 雑誌掲載位置 | 82〜83ページ目 |
韓国のＳａｍｕｓｕｎｇグループの技術研究機関であるＳａｍｓｕｎｇ Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ ｏｆ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ（ＳＡＩＴ＝三星総合技術院）は，ＧａＮ（窒化ガリウム）系青紫色半導体レーザ（図１）の開発にＴＲＩＺを適用したことを明らかにした。発振波長は約４００ｎｍ。動作電流が最低３０ｍＡ（平均４２ｍＡ）と小さく（すなわち消費電力が小さい），個体差によるばらつきも少ないのが特徴（図…
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