Ｂｒｅａｋｔｈｒｏｕｇｈ 特集２ ２０２５、半導体の未来〜ＣＭＯＳを超える次世代デバイス トンネルＦＥＴやクライオＣＭＯＳに注目
日経エレクトロニクス 第1270号 2024.12.1
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第1270号（2024.12.1） |
|---|---|
| ページ数 | 4ページ （全3875字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （1110kb） |
| 雑誌掲載位置 | 102〜105ページ目 |
第３部：Ｂｅｙｏｎｄ ＣＭＯＳＡＩ（人工知能）の普及を受けて演算デバイスの消費電力低減が急務になっている。限界が見えたＣＭＯＳ（相補性金属酸化膜半導体）に代わり、新しい原理で駆動するデバイスの研究開発に目が向き始めた。量子コンピューターへの応用に向けた「極低温」技術を磨きながら、２０４０〜２０５０年に半導体の主流技術の１つとなることを目指す。現行のＣＭＯＳトランジスタが直面する微細化の限界を見据え…
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