Ｈｏｔ Ｎｅｗｓ〜１０００層ＮＡＮＤに向け、装置大手が火花「極低温エッチング」に照準
日経エレクトロニクス 第1270号 2024.12.1
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第1270号（2024.12.1） |
|---|---|
| ページ数 | 2ページ （全2026字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （486kb） |
| 雑誌掲載位置 | 10〜11ページ目 |
ＡＩ（人工知能）向けに需要が広がるＮＡＮＤ型フラッシュメモリー（以下、ＮＡＮＤ）を巡り、「極低温エッチング」と呼ぶ装置技術の開発競争が過熱している。ウエハーを氷点下に冷やすことで、メモリーセルの多層積層に必要な深い穴を従来に比べ数倍速く開けられるため、製造コストを下げられる。２０３０年代に想定される１０００層を超えるＮＡＮＤの実現に向け、エッチング装置最大手の米Ｌａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ（ラムリサー…
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