Ｅｍｅｒｇｉｎｇ Ｔｅｃｈ 解説 半導体開発〜キオクシアが競争力向上目指し注力 ＤＲＡＭ並み速度の大容量不揮発メモリー
日経エレクトロニクス 第1264号 2024.6.1
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第1264号（2024.6.1） |
|---|---|
| ページ数 | 3ページ （全2568字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （642kb） |
| 雑誌掲載位置 | 79〜81ページ目 |
キオクシアがＮＡＮＤフラッシュメモリーに続く事業の柱に育てようと、ＤＲＡＭに近い動作速度を備える大容量の不揮発性メモリーの開発を加速させている。ストレージと主記憶の性能差を埋めるもので、ストレージクラスメモリー（ＳＣＭ）と呼ばれる。同社はＭＲＡＭ（磁気抵抗メモリー）や強誘電体メモリー、ＲｅＲＡＭ（抵抗変化型メモリー）などの中から候補の絞り込みを進めており、２〜３年以内にもサンプル出荷が始まりそうだ…
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