Ｅｍｅｒｇｉｎｇ　Ｔｅｃｈ　解説　半導体製造装置〜「先端半導体にはＥＵＶ露光装置」に待った　キヤノンのナノインプリントの実力
日経エレクトロニクス　第1261号　2024.3.1

この記事の情報
掲載誌	日経エレクトロニクス　第1261号（2024.3.1）
ページ数	5ページ　（全3232字）
形式	PDFファイル形式　（1029kb）
雑誌掲載位置	68〜72ページ目

数ｎｍ世代の最先端半導体には、オランダＡＳＭＬの極端紫外線（ＥＵＶ）露光装置が必須─。そんな状況にキヤノンが風穴を開けた可能性がある。長年、研究開発を続けてきたナノインプリントリソグラフィー（ＮＩＬ）装置を実用化したのだ（図１）。２０２３年１０月１３日から、同装置の販売を開始した。５ｎｍ世代に必要な最小線幅１４ｎｍの回路パターンを描画できる。ＡＳＭＬの開口数０．３３のＥＵＶ露光装置で実現できる最小…