Ｈｏｔ Ｎｅｗｓ〜ルネサスがＧａＮパワー半導体に本格参入 米Ｔｒａｎｓｐｈｏｒｍを約４９２億円で買収
日経エレクトロニクス 第1261号 2024.3.1
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第1261号（2024.3.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全712字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （445kb） |
| 雑誌掲載位置 | 14ページ目 |
ルネサス エレクトロニクスがかねて表明していたＧａＮ（窒化ガリウム）パワー半導体への参入手法が明らかになった。ＧａＮパワー半導体を手掛ける米Ｔｒａｎｓｐｈｏｒｍ（トランスフォーム）を買収する（図１）。 買収総額は約３億３９００万米ドル（１米ドル＝１４５円換算で約４９２億円）。２０２４年下期に買収手続きを完了する予定である。ルネサスはＳｉ（シリコン）パワー半導体やＳｉＣ（炭化ケイ素）パワー半導体に続…
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