Ｈｏｔ Ｎｅｗｓ〜ＯＫＩと信越化学がＧａＮの剥離接合技術 縦型パワーデバイスの実現後押し
日経エレクトロニクス 第1258号 2023.12.1
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第1258号（2023.12.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全748字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （243kb） |
| 雑誌掲載位置 | 39ページ目 |
ＯＫＩと信越化学工業は、ＱＳＴ基板と呼ぶ複合材料基板からＧａＮ（窒化ガリウム）の機能層だけを剥（はく）離し異種材料基板へ接合する技術を共同開発したと発表した。大電流を制御できる縦型ＧａＮパワーデバイスなどの実現につながる。両社は今後、ＧａＮデバイスを製造する企業向けに開発した技術や基板材料を提供する。 信越化学のＱＳＴ基板技術とＯＫＩのＣＦＢ（Ｃｒｙｓｔａｌ Ｆｉｌｍ Ｂｏｎｄｉｎｇ）と呼ぶ技術を…
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