Ｅｍｅｒｇｉｎｇ　Ｔｅｃｈ　電子デバイス〜混載ＭＲＡＭとＥＵＶは量産へ　ＦｉｎＦＥＴ後継「ＧＡＡ」も
日経エレクトロニクス　第1200号　2019.2.1

この記事の情報
掲載誌	日経エレクトロニクス　第1200号（2019.2.1）
ページ数	8ページ　（全11729字）
形式	PDFファイル形式　（2430kb）
雑誌掲載位置	61〜68ページ目

２０１８年１２月に米国で開催された電子デバイス技術の旗艦学会「２０１８　ＩＥＤＭ」における注目の発表を東北大学　准教授の黒田理人氏が解説する。注目したのは、半導体集積回路・デバイス・プロセス技術に関する最新成果だ。次世代メモリーＭＲＡＭ（Ｍａｇｎｅｔｉｃ　ＲＡＭ）、次々世代の「ＧＡＡ」プロセス、低オン抵抗パワーの半導体、広ダイナミックレンジＣＭＯＳセンサーの提案などである。（本誌）　「２０１８　Ｉ…