Ｅｍｅｒｇｉｎｇ Ｔｅｃｈ 電子デバイス〜電力効率化に負性容量ＦＥＴ ＲｅＲＡＭは大容量化に道
日経エレクトロニクス 第1189号 2018.3.1
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第1189号（2018.3.1） |
|---|---|
| ページ数 | 7ページ （全8496字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （2980kb） |
| 雑誌掲載位置 | 75〜81ページ目 |
電子機器やモビリティー機器、これらを使ったサービスを左右する半導体の進化。そのトレンドをいち早く押さえられるのが、電子デバイス技術の旗艦学会「ＩＥＤＭ （Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ Ｍｅｅｔｉｎｇ）」だ。２０１７年１２月の発表から、Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｐｒｏｇｒａｍ Ｖｉｃｅ Ｃｈａｉｒの高柳氏が解説する。（本誌） 半導体のデバイス／プロセス技術に関する旗艦学会で…
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