Ｃｈａｌｌｅｎｇｅｒ〜酸化ガリウムでパワー半導体　課題を一掃し次世代の本命へ
日経エレクトロニクス　第1173号　2016.11.1

この記事の情報
掲載誌	日経エレクトロニクス　第1173号（2016.11.1）
ページ数	2ページ　（全1990字）
形式	PDFファイル形式　（1353kb）
雑誌掲載位置	104〜105ページ目

次世代のパワー半導体材料「Ｇａ２Ｏ３（酸化ガリウム）」で業界に新風を巻き起こしているのが京都大学発のベンチャーＦＬＯＳＦＩＡ（フロスフィア）。２０１６年に入り、酸化ガリウムのダイオードのサンプル出荷を開始。積年の技術課題にも解決のメドを付けた。同社を牽引する人羅氏と金子氏に、酸化ガリウムに注目した理由や事業計画などについて話を聞いた。（聞き手＝根津　禎）（写真：福尾　行洋）ひとら・としみ１９９８年…