Ｂｒｅａｋｔｈｒｏｕｇｈ パワーデバイス、世界競争〜ダイオード集積で低コスト化 モジュールは汎用性を競う
日経エレクトロニクス 第1172号 2016.10.1
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第1172号（2016.10.1） |
|---|---|
| ページ数 | 6ページ （全6682字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （2186kb） |
| 雑誌掲載位置 | 34〜39ページ目 |
第２部：ＩＧＢＴ高耐圧パワーデバイスで現在主流のＩＧＢＴ。産業機器から自動車、再生可能エネルギー向け電力変換器で幅広く利用されている。今後も主役であり続けるために、パワーデバイス・メーカーはＩＧＢＴチップのコスト削減と、ＩＧＢＴモジュールの使い勝手向上にまい進している。 Ｓｉ ＩＧＢＴが鉄道で初めて実用化されてからおよそ３０年。性能向上の伸びしろが年々小さくなり、数年前まで「ＳｉＣに置き換わるので…
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