Ｂｒｅａｋｔｈｒｏｕｇｈ パワーデバイス、世界競争〜最大手ファウンドリーが参戦 水平分業で低価格化が加速
日経エレクトロニクス 第1172号 2016.10.1
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第1172号（2016.10.1） |
|---|---|
| ページ数 | 4ページ （全4943字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （1751kb） |
| 雑誌掲載位置 | 44〜47ページ目 |
第４部：ＧａＮこれまで垂直統合の事業形態が一般的だったＧａＮパワーデバイス業界。ここにきて水平分業化の波が押し寄せている。アナログ半導体のファブレスメーカーが同デバイスを製品化し、それを大手ファウンドリーが製造する構図が一般的になっていきそうだ。水平分業の進展によって、ＧａＮパワーデバイスの低価格化が加速する。 ２０２０年、市場規模は今の５０倍以上になる─。そんなＧａＮパワーデバイスの急成長を富士…
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