Ｎｅｗ　Ｐｒｏｄｕｃｔｓ　Ｄｉｇｅｓｔ〜ＳｉＣより低オン抵抗の酸化ガリウム製ダイオード、京都のベンチャーが開発　ほか
日経エレクトロニクス　第1164号　2016.2.1

この記事の情報
掲載誌	日経エレクトロニクス　第1164号（2016.2.1）
ページ数	8ページ　（全7359字）
形式	PDFファイル形式　（1149kb）
雑誌掲載位置	113〜120ページ目

０１ＳｉＣより低オン抵抗の酸化ガリウム製ダイオード、京都のベンチャーが開発　ベンチャー企業のＦＬＯＳＦＩＡ（本社・京都市）は、耐圧５３１Ｖでオン抵抗が０．１ｍΩｃｍ２と低いショットキー・バリア・ダイオード（ＳＢＤ）を開発した。このオン抵抗の値は、「市販されているＳｉＣ　ＳＢＤよりも低い値」（同社）である。今回の成果を基に、パワー素子としては一般的なＴＯ−２２０パッケージに封止した耐圧６００Ｖ品のサ…