Ｎｅｗ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ Ｄｉｇｅｓｔ〜２２ｎｍ ＦＤＳＯＩのＩＣ製造受託、ＧＬＯＢＡＬＦＯＵＮＤＲＩＥＳが１６年２月から ほか
日経エレクトロニクス 第1161号 2015.11.1
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第1161号（2015.11.1） |
|---|---|
| ページ数 | 8ページ （全6910字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （1106kb） |
| 雑誌掲載位置 | 121〜129ページ目 |
０１２２ｎｍ ＦＤＳＯＩのＩＣ製造受託、ＧＬＯＢＡＬＦＯＵＮＤＲＩＥＳが１６年２月から 米ＧＬＯＢＡＬＦＯＵＮＤＲＩＥＳ社は、２２ｎｍ ＦＤＳＯＩプロセス「２２ＦＤＸ」を開発した。このプロセスを使ったリスク生産を２０１６年中に始める。 同社は韓国Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ社と提携し、Ｓａｍｓｕｎｇから１４ｎｍ Ｆｉｎ−ＦＥＴ技術のライセンスを受けて、ＦｉｎＦＥＴでの生産体制を固めている…
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