Hot News〜印刷で3D ICを安価に TSVのめっき工程を代替
日経エレクトロニクス 第1160号 2015.10.1
掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第1160号(2015.10.1) |
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ページ数 | 2ページ (全1988字) |
形式 | PDFファイル形式 (702kb) |
雑誌掲載位置 | 24〜25ページ目 |
材料開発のベンチャー企業のナプラは、印刷技術を使って3次元(3D)積層ICの製造コストを低減できるTSV(貫通Siビア)の実現手法を神戸大学と共同開発した1)。電極と絶縁部の双方をインク状のペーストとして埋め込んで形成することによって、製造時間・コストの大幅な低減を期待している(図1)。 TSVは、複数のSiチップを積層する際の電極として使われる。メモリーの大容量化や、異種プロセスのICを小型の…
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