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NEレポート〜東芝が低電力STT−MRAM MPUキャッシュへ道開く
日経エレクトロニクス 第1138号 2014.7.7
掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第1138号(2014.7.7) |
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ページ数 | 2ページ (全1953字) |
形式 | PDFファイル形式 (661kb) |
雑誌掲載位置 | 16〜17ページ目 |
東芝は、マイクロプロセッサーに混載するキャッシュメモリーとして、業界最高の性能を実現するというSTT−MRAM(スピン注入磁化反転型MRAM)を開発した(図1)。キャッシュ用SRAMに比べて消費電力が60%減る。詳細を「2014 Symposia on VLSI Technology and Circuits」(2014年6月9〜13日)で発表した。L2以下のキャッシュを不揮発に 東芝は、L2以…
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