ＮＥレポート〜パワコンや鉄道にＳｉＣ／ＧａＮ ２０１５年までに次々製品化
日経エレクトロニクス 第1130号 2014.3.17
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第1130号（2014.3.17） |
|---|---|
| ページ数 | 2ページ （全2007字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （550kb） |
| 雑誌掲載位置 | 16〜17ページ目 |
太陽光発電分野や鉄道分野で、ＳｉＣやＧａＮといった次世代パワー半導体の採用がさらに進みそうだ。２０１４年２月に開催されたスマートグリッド分野の展示会「第５回 ［国際］スマートグリッド ＥＸＰＯ」では、２０１４〜２０１５年ごろに製品化予定の開発品が次々と出展された。いずれも、Ｓｉに比べて低損失なＳｉＣやＧａＮのパワー半導体素子（以下、パワー素子）を適用することで、高効率化と小型化を図った製品である…
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