ＮＥレポート〜大容量ＲｅＲＡＭの実用化に王手 Ｍｉｃｒｏｎ社とソニーが共同開発
日経エレクトロニクス 第1129号 2014.3.3
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第1129号（2014.3.3） |
|---|---|
| ページ数 | 2ページ （全2230字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （478kb） |
| 雑誌掲載位置 | 10〜11ページ目 |
新型の不揮発性メモリーとして世界中で開発競争が続く大容量ＲｅＲＡＭ（抵抗変化型メモリー）。その実用化に、米Ｍｉｃｒｏｎ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ社とソニーの共同研究グループが王手をかけた。他社に先駆けて高速かつ大容量のＲｅＲＡＭを開発し、半導体集積回路技術の国際学会「Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｓｏｌｉｄ−Ｓｔａｔｅ Ｃｉｒｃｕｉｔｓ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ（ＩＳＳＣＣ）２０１４」で発表したのだ。ソニ…
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