ＮＥレポート〜ＳｉＣパワー素子の本命 トレンチＭＯＳＦＥＴが実用化へ
日経エレクトロニクス 第1120号 2013.10.28
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第1120号（2013.10.28） |
|---|---|
| ページ数 | 2ページ （全2345字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （736kb） |
| 雑誌掲載位置 | 12〜13ページ目 |
「高品質な口径１５０ｍｍのＳｉＣ基板を実現できた。これを利用して、２０１５年には『トレンチ型』のＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴを製品化するつもりだ」（デンソーの説明員）─。 デンソーは、２０１３年１０月に開催された「ＣＥＡＴＥＣ ＪＡＰＡＮ ２０１３」にＳｉＣ関連の技術を展示した（図１）。その中に、二つの“サプライズ”が含まれていた。一つは、ＳｉＣパワー素子の実用化時期を２０１５年と明らかにしたこと。こ…
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