論文〜３次元ＮＡＮＤフラッシュ ２０１５年に本格量産へ
日経エレクトロニクス 第1117号 2013.9.16
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第1117号（2013.9.16） |
|---|---|
| ページ数 | 10ページ （全9527字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （1674kb） |
| 雑誌掲載位置 | 81〜90ページ目 |
有留 誠一韓国ＳＫ Ｈｙｎｉｘ社Ｓｅｎｉｏｒ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｆｅｌｌｏｗ， Ｒｅｓｅａｒｃｈ ＆ Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ Ｄｉｖｉｓｉｏｎ， Ｆｌａｓｈ Ｄｅｖｉｃｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｇｒｏｕｐ各種機器のストレージを担うＮＡＮＤフラッシュ・メモリが、技術の大転換期を迎えている。大容量化と低コスト化を支えてきた微細化が限界を迎えつつあることを受け、メーカー各社はメモリ・セルの３次元化という…
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