ＮＥレポート〜Ｓａｍｓｕｎｇが３次元ＮＡＮＤ量産 Ｔビットを射程に収める
日経エレクトロニクス 第1116号 2013.9.2
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第1116号（2013.9.2） |
|---|---|
| ページ数 | 2ページ （全2457字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （387kb） |
| 雑誌掲載位置 | 8〜9ページ目 |
スマートフォンやタブレット端末の記憶媒体を一手に担い、サーバー機などでもＨＤＤから主役の座を奪いつつあるＮＡＮＤフラッシュ・メモリ（以下、ＮＡＮＤ）が技術進化の大転換期を迎えた（図１）。過去２０年以上にわたって大容量化と低コスト化を牽引してきた微細化技術に、いよいよ限界が迫っているのだ。今後はメモリ・セルを多段積層して集積度を高める「３次元化」が微細化に取って代わる。 韓国Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅ…
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