ＮＥセレクション　パワー半導体〜ＧａＮパワー素子の開発が活発に　ノーマリー・オフ動作にも道筋
日経エレクトロニクス　第1109号　2013.5.27

連載第２回（本誌の２０１３年４月１日号）では、ＳｉＣパワー素子を巡る開発状況について紹介した。今回のテーマはＧａＮパワー素子。ここ最近、ＧａＮパワー素子の実用化に踏み切る企業が、増加傾向にある。その開発動向について、歴史を振り返りながら京都大学の須田淳氏に解説してもらう。（本誌）須田　淳京都大学大学院　工学研究科　電子工学専攻准教授　窒化ガリウム（ＧａＮ）は、もともとは青色ＬＥＤや次世代ＤＶＤ向け…