ＮＥレポート〜ＣＮＴをＳｉウエハーに塗布する 不揮発性メモリが量産間近に
日経エレクトロニクス 第1094号 2012.10.29
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第1094号（2012.10.29） |
|---|---|
| ページ数 | 2ページ （全2357字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （573kb） |
| 雑誌掲載位置 | 8〜9ページ目 |
抵抗変化型メモリ（ＲｅＲＡＭ）や相変化メモリ（ＰＲＡＭ）、磁気メモリ（ＭＲＡＭ）などがひしめく次世代メモリの主役争いに、新たな対抗馬が加わった。米Ｎａｎｔｅｒｏ社が開発した、カーボン・ナノチューブ（ＣＮＴ）を使う不揮発性メモリ「ＮＲＡＭ」だ（図１）注１）。ＤＲＡＭ並みに動作が高速で、ビット当たりのコストでもＤＲＡＭをしのぐ可能性を秘めている。 既に基礎的な開発を完了しており、量産が近い段階にある…
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