クローズアップ 半導体〜３次元ＮＡＮＤフラッシュがいよいよ離陸へ
日経エレクトロニクス 第1087号 2012.7.23
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第1087号（2012.7.23） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全937字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （236kb） |
| 雑誌掲載位置 | 119ページ目 |
半導体 メモリ・セルを３次元方向に積み重ねた３次元ＮＡＮＤフラッシュ・メモリがいよいよ離陸しそうだ。ＮＡＮＤフラッシュ・メモリはこれまで２次元（水平）方向の微細化と多値化によって大容量化を進めてきたが、徐々に限界に近づいている。テラビット級の大容量化に向けて、東芝や韓国Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ社、韓国ＳＫ Ｈｙｎｉｘ社は３次元ＮＡＮＤフラッシュ・メモリの開発にしのぎを削っており、早け…
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