解説1〜「3次元」と「不揮発」で 半導体を低電力・低コストに
日経エレクトロニクス 第1087号 2012.7.23
掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第1087号(2012.7.23) |
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ページ数 | 8ページ (全7022字) |
形式 | PDFファイル形式 (3778kb) |
雑誌掲載位置 | 67〜74ページ目 |
3次元チャネル構造のCMOSトランジスタに、不揮発性のキャッシュ・メモリ、3次元セル構造のストレージ向け新型不揮発性メモリ─。2012年6月に米国ハワイで開催された半導体製造/回路技術の国際学会「2012 VLSI Symposia」には、「3次元」や「不揮発」といったキーワードが目白押しだった。既存技術を超えた低電力化・低コスト化を目指す。 「普通の会社だったら、こんな大きな変更は怖くてできない…
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