ＮＥレポート〜耐圧２０ｋＶ超のＳｉＣ製ダイオード　京都大学が試作
日経エレクトロニクス　第1085号　2012.6.25

試作したＳｉＣ製ＰＩＮダイオード　京都大学　工学研究科　電子工学専攻　教授の木本恒暢氏らの研究グループは、耐圧が２１．７ｋＶと高いＳｉＣ製ＰＩＮダイオードを試作し、パワー半導体素子の国際学会「ＩＳＰＳＤ　２０１２」で発表した。２０ｋＶを超える半導体素子を試作したのは今回が初めて。「世界最高の値」（木本氏）とする。　主な用途としては、変電所での電力変換器を想定している。例えば、日本では系統電圧は６．…