ＮＥレポート〜Ｓｉ半導体に集積可能な発光素子　東京都市大学が開発
日経エレクトロニクス　第1083号　2012.5.28

　東京都市大学（旧・武蔵工業大学）　総合研究所は、室温（３００Ｋ）かつ電流注入において発光するＳｉ系半導体素子を開発した。発光時のＱ値は１５６０と高い。「室温下のＳｉ系半導体では世界最高値で、ＬＥＤとしてなら十分利用可能」（同大学）という。　光伝送をＳｉ系半導体で実現する「Ｓｉフォトニクス」技術においては、受光素子や導光路を含むほとんどの要素技術で技術革新が進んだ。しかし、Ｓｉで発光素子を作製する…