ＮＥレポート〜ＳｉＣの低コスト化に道 ＳＢＤはＳｉの２倍未満が現実的に
日経エレクトロニクス 第1073号 2012.1.9
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第1073号（2012.1.9） |
|---|---|
| ページ数 | 2ページ （全2155字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （396kb） |
| 雑誌掲載位置 | 14〜15ページ目 |
Ｓｉ製パワー半導体素子（以下、パワー素子）と比較して電力損失が小さい、高速なスイッチングが可能、耐熱性が高いなど、特性面で優れるＳｉＣ製パワー素子。ショットキー・バリア・ダイオード（ＳＢＤ）は２００１年、ＭＯＳＦＥＴは２０１０年に製品化され、このうちＳＢＤはエアコンや鉄道車両向けのインバータに搭載されるなど、徐々にその採用が広がっている。 ただし、ＳｉＣ製パワー素子がハイブリッド車や電気自動車と…
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