ＮＥレポート〜進化するＳｉ製パワー素子 特性面でＧａＮに迫る
日経エレクトロニクス 第1064号 2011.9.5
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第1064号（2011.9.5） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全1310字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （209kb） |
| 雑誌掲載位置 | 18ページ目 |
インバータやコンバータなどの電力変換器に用いるパワー素子において、現行のＳｉよりも大幅な電力損失低減を見込めるＧａＮ。Ｓｉ製パワー素子の性能向上が頭打ちになりつつある中で、このＧａＮを使ったパワー素子の研究開発が活発化している。ところが、そんな状況に待ったをかける新たなＳｉ製パワー素子が登場した。それが、米ＩＣＥＭＯＳ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ社とオムロンが開発した、Ｓｕｐｅｒ Ｊｕｎｃｔｉｏｎ構造…
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