クローズアップ 半導体〜Ｓｉ−ＭＥＭＳ発振器の高精度化が加速
日経エレクトロニクス 第1063号 2011.8.22
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第1063号（2011.8.22） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全900字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （249kb） |
| 雑誌掲載位置 | 112ページ目 |
半導体 Ｓｉ製ＭＥＭＳ発振器の高精度化が加速している。これまで難しいとされていたＴＣＸＯ（温度補償回路付き水晶発振器）並みの周波数安定度を持つ製品を、米ＳｉＴｉｍｅ社が発売した。長年の課題だった高精度化にメドを付け、発振器市場への本格的な参入を狙う。 Ｓｉ−ＭＥＭＳ発振器は、水晶発振器に比べて小型、低コスト、短納期といった特徴がある。特に、納期が８〜１６週間と長い水晶発振器に比べて、Ｓｉ−ＭＥＭＳ…
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