解説２〜ＧａＮ系パワー半導体　いざ次世代の本命へ
日経エレクトロニクス　第1063号　2011.8.22

この記事の情報
掲載誌	日経エレクトロニクス　第1063号（2011.8.22）
ページ数	10ページ　（全10387字）
形式	PDFファイル形式　（3787kb）
雑誌掲載位置	67〜76ページ目

電力損失を大幅に低減できる、次世代のパワー半導体として注目集めるＧａＮ（窒化ガリウム）。このＧａＮを用いたパワー素子を利用する環境が今、急速に整い始めている。複数の企業が２０１１年後半から２０１２年にかけて、ＧａＮ系パワー素子を出荷開始する。同素子を使いこなすための周辺技術も整ってきた。　パナソニックは、２０１１年中に新たな電子デバイス事業を立ち上げる。それは、ＧａＮと呼ばれる半導体材料を用いたパ…