ＮＥレポート〜酸化物半導体ＴＦＴの特許 ＪＳＴがＳａｍｓｕｎｇ社に実施権
日経エレクトロニクス 第1063号 2011.8.22
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第1063号（2011.8.22） |
|---|---|
| ページ数 | 2ページ （全2517字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （932kb） |
| 雑誌掲載位置 | 16〜17ページ目 |
科学技術振興機構（ＪＳＴ）は２０１１年７月、酸化物半導体を利用した「ＩＧＺＯ（Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ）ＴＦＴ」技術の特許について、韓国Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ社にライセンス供与する契約を締結した。この技術は、東京工業大学 応用セラミックス研究所 教授の細野秀雄氏の研究グループが１９９５年以降開発してきた「透明酸化物半導体（ＴＡＯＳ）」に基づく（図１）。 ＩＧＺＯ ＴＦＴは、超高精細、…
記事の購入（ダウンロード）
購入には会員登録が必要です 会員登録はこちら
価格 330円（税込）
他のIDで購入する
G-Search ミッケ！は雑誌を記事ごとに販売するサービスです。
この記事は「2ページ（全2517字）」です。ご購入の前に記事の内容と文字数をお確かめください。
（注）特集のトビラ、タイトルページなど、図案が中心のページもございます。
ＮＥレポート〜三洋電機の白物家電が消滅 パナソニックが重複事業を再編
ＮＥレポート〜ルネサスが新たな構造改革策 民生を見切り社会インフラへ
ＮＥレポート〜東電らがＨＥＭＳ関連団体を結成 狙いは家電の機能安全の確保
ＮＥレポート〜超微小振動を測れるセンサ ＮＥＣトーキンが開発
インサイド〜国内に本格的スマートシティ 地域ＥＭＳの実運用も間近に
