ＮＥレポート〜東芝がポストＮＡＮＤを量産へ ３次元メモリを２０１３年から
日経エレクトロニクス 第1061号 2011.7.25
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第1061号（2011.7.25） |
|---|---|
| ページ数 | 2ページ （全2140字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （474kb） |
| 雑誌掲載位置 | 10〜11ページ目 |
Ｆａｂ５の竣工式に駆け付けた東芝社長の佐々木則夫氏 「ポストＮＡＮＤメモリは、かなり現実に近いところにある」（東芝 代表執行役社長の佐々木則夫氏）─。 東芝が、競合他社に先駆けて“ポストＮＡＮＤフラッシュ”の新メモリの事業化に乗り出す。メモリ・セルを縦積みする３次元ＮＡＮＤフラッシュ・メモリの量産を、２０１３年に始める意向を明らかにした（図１（ａ））。その拠点となる製造棟「Ｆａｂ５」を、２０１１年…
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