クローズアップ 半導体〜実用化始まったTSVによる3次元化技術
日経エレクトロニクス 第1060号 2011.7.11
掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第1060号(2011.7.11) |
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ページ数 | 1ページ (全899字) |
形式 | PDFファイル形式 (209kb) |
雑誌掲載位置 | 120ページ目 |
半導体 TSV(Si貫通ビア)を利用して3次元積層した半導体の実用化が始まった。エルピーダメモリはTSVによって4個のDRAMチップと1個のインタフェース・チップを積層した8GビットDDR3 SDRAMを、2011年6月にサンプル出荷した。タブレット端末などで求められる低消費電力かつ小型のDRAMを実現している。消費電力に関しては、TSVを用いてDRAMの入出力バッファ容量を低減した結果、動作時に…
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